Descrição
Dispositivos semicondutores bidimensionais podem ser simulados com modelos drift-diffusion. Isso ajuda usuários a estudar efeitos espaciais, geometria do dispositivo e comportamento de portadores em uma configuração numérica 2D.
É uma extensão de simulação científica. Resultados dependem da qualidade da malha, parâmetros de material e premissas físicas.